SI2325DS-T1-E3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

150 V

Id - Corriente de drenaje continua:

690 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.2 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

12 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.25 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Serie:

SI2

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

2.2 S

Otoño:

11 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

11 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

16 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7 ns

Parte # Alias:

SI2325DS-E3

Unidad de peso:

0.000282 oz

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SI2325DS-T1-E, SI2325DS-T1, SI2325DS-T, SI2325, SI232, SI23, SI2