SSM6N68NU,LF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

UDFN-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

84 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

400 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V, - 8 V

Qg - Carga de puerta:

1.8 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

SSM6N68NU

Marca:

Toshiba

Transconductancia directa - Mín .:

5.2 S

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

9 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

26 ns

Unidad de peso:

0.000300 oz

Tags

SSM6N6, SSM6N, SSM6, SSM