MMBFJ212

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores RF JFET

RoHS:

T

Tipo de transistor:

JFET

Tecnología:

Si

Polaridad del transistor:

Canal N

Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:

- 25 V

Id - Corriente de drenaje continua:

40 mA

Voltaje máximo de la puerta de drenaje:

25 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

225 mW

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23

Embalaje:

Carrete

Configuración:

Único

Rango de temperatura de funcionamiento:

- 55 C to + 150 C

Producto:

RF JFET

Escribe:

JFET

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

0.007 S to 0.012 S

Voltaje de corte de puerta-fuente:

- 6 V

Tipo de producto:

Transistores RF JFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

MMBFJ212, MMBFJ21, MMBFJ2, MMBFJ, MMBF, MMB