STS4C3F60L

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOIC-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

55 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

16 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.65 mm

Longitud:

5 mm

Serie:

STS4C3F60L

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

4 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconductancia directa - Mín .:

7.2 S

Otoño:

10 ns, 14.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

28 ns, 54 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

45 ns, 39 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

15 ns, 124 ns

Unidad de peso:

0.002998 oz

Tags

STS4, STS