FDPF8N50NZF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220FP-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

500 V

Id - Corriente de drenaje continua:

7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

850 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Qg - Carga de puerta:

14 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

40 W

Configuración:

Único

Nombre comercial:

UniFET

Embalaje:

Tubo

Altura:

16.07 mm

Longitud:

10.36 mm

Serie:

FDPF8N50NZF

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET de canal N

Ancho:

4.9 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

6.3 S

Otoño:

27 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

34 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

43 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

17 ns

Unidad de peso:

0.080072 oz

Tags

FDPF8N5, FDPF8N, FDPF8, FDPF, FDP