STFI12N60M2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-262-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

450 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Qg - Carga de puerta:

16 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

25 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Altura:

4.6 mm

Longitud:

10.85 mm

Producto:

MOSFET de potencia

Serie:

STFI12N60M2

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MDmesh M2

Ancho:

10.4 mm

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

18 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

9.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

56 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9.2 ns

Unidad de peso:

0.050717 oz

Tags

STFI1, STFI, STF