IXTH500N04T2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

500 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.6 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

405 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

1 kW

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

HiPerFET

Embalaje:

Tubo

Altura:

21.46 mm

Longitud:

16.26 mm

Serie:

IXTH500N04

Escribe:

TrenchT2 Power MOSFET

Ancho:

5.3 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

75 S

Otoño:

44 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

16 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

68 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

37 ns

Unidad de peso:

0.056438 oz

Tags

IXTH50, IXTH5, IXTH, IXT