BSP296E6327

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

N

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-223-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.1 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

620 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.79 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.6 mm

Longitud:

6.5 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

Transistor de señal pequeña SIPMOS

Ancho:

3.5 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

1.2 S / 0.6 S

Otoño:

21.4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

7.9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

37.4 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5.2 ns

Unidad de peso:

0.003951 oz

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