IPL60R199CP

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

ThinPAK-5

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

16.4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

199 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.5 V

Qg - Carga de puerta:

32 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

139 W

Configuración:

Único

Nombre comercial:

CoolMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

1 mm

Longitud:

8 mm

Serie:

CoolMOS CE

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

8 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

5 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

50 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns

Parte # Alias:

IPL60R199CPAUMA1 IPL6R199CPXT SP000841892

Unidad de peso:

0.000423 oz

Tags

IPL60R19, IPL60R1, IPL60, IPL6, IPL