ZXMS6004DN8-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

600 mOhms, 600 mOhms

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.56 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

IntelliFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.75 mm

Longitud:

4.9 mm

Producto:

MOSFET

Serie:

ZXMS6004

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Escribe:

Intellifet

Ancho:

3.9 mm

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

15 us

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10 us

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

45 us

Tiempo típico de retardo de encendido:

5 us

Unidad de peso:

0.002610 oz

Tags

ZXMS6004DN, ZXMS6004D, ZXMS6004, ZXMS6, ZXMS, ZXM