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SI8808DB-T2-E1

SI8808DB-T2-E1
Mfr. #:
SI8808DB-T2-E1
Fabricante:
Vishay
Descripción:
MOSFET N-CH 30V MICROFOOT
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI8808DB-T2-E1 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
SI8808DB-T2-E1 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay Siliconix
categoria de producto
FET - Single
Serie
TrincheraFETR
embalaje
Embalaje alternativo de Digi-ReelR
Estilo de montaje
SMD / SMT
Nombre comercial
Micro pie
Paquete-Estuche
4-UFBGA
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
1 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
4-Microfoot
Configuración
Único
Tipo FET
Canal N MOSFET, óxido metálico
Potencia máxima
500mW
Tipo transistor
1 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
30V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
330pF @ 15V
Función FET
Estándar
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
-
Rds-On-Max-Id-Vgs
95 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
900mV @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
10nC @ 8V
Disipación de potencia Pd
900 mW
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
8 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
2.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
0.9 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
95 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Qg-Gate-Charge
3.7 nC
Transconductancia directa-Mín.
10 S
Tags
SI880, Si88, SI8
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 4-Pin Micro Foot T/R
***et
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET
***
N-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET
***i-Key
MOSFET N-CH 30V MICROFOOT
***ark
Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:2.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(On):0.071Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:900Mv; Power Dissipation Pd:900Mw; No. Of Pins:4Pins Rohs Compliant: No
MicroFoot® Power MOSFETs
Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (RDS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The devices' low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent unwanted under-voltage lockout.Learn More
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI8808DB-T2-E1
DISTI # V72:2272_09216536		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A 4-Pin Micro Foot
RoHS: Compliant		5955
  • 3000:$0.1448
  • 1000:$0.1577
  • 500:$0.2033
  • 250:$0.2384
  • 100:$0.2480
  • 25:$0.3001
  • 10:$0.3335
  • 1:$0.4370
SI8808DB-T2-E1
DISTI # SI8808DB-T2-E1CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V MICROFOOT
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		22093In Stock
  • 1000:$0.1872
  • 500:$0.2423
  • 100:$0.3304
  • 10:$0.4410
  • 1:$0.5200
SI8808DB-T2-E1
DISTI # SI8808DB-T2-E1DKR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V MICROFOOT
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		22093In Stock
  • 1000:$0.1872
  • 500:$0.2423
  • 100:$0.3304
  • 10:$0.4410
  • 1:$0.5200
SI8808DB-T2-E1
DISTI # SI8808DB-T2-E1TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V MICROFOOT
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		21000In Stock
  • 3000:$0.1657
SI8808DB-T2-E1
DISTI # 25790129		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A 4-Pin Micro Foot
RoHS: Compliant		5955
  • 3000:$0.1448
  • 1000:$0.1577
  • 500:$0.2033
  • 250:$0.2384
  • 100:$0.2480
  • 51:$0.3001
SI8808DB-T2-E1
DISTI # SI8808DB-T2-E1		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A 4-Pin Micro Foot T/R - Tape and Reel (Alt: SI8808DB-T2-E1)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 6000
  • 3000:$0.1949
  • 6000:$0.1939
  • 12000:$0.1939
  • 18000:$0.1929
  • 30000:$0.1929
SI8808DB-T2-E1
DISTI # SI8808DB-T2-E1		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A 4-Pin Micro Foot T/R (Alt: SI8808DB-T2-E1)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape and Reel		Europe - 0
  • 3000:€0.2329
  • 6000:€0.1589
  • 12000:€0.1369
  • 18000:€0.1259
  • 30000:€0.1169
SI8808DB-T2-E1.
DISTI # 28AC2185		Vishay IntertechnologiesN-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET , ROHS COMPLIANT: NO6000
  • 1:$0.1620
  • 3000:$0.1620
SI8808DB-T2-E1
DISTI # 78-SI8808DB-T2-E1		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
RoHS: Compliant		3856
  • 1:$0.4600
  • 10:$0.3510
  • 100:$0.2610
  • 500:$0.2140
  • 1000:$0.1660
  • 3000:$0.1620
SI8808DBT2E1Vishay Intertechnologies 
RoHS: Compliant		Europe - 3000
    SI8808DB-T2-E1
    DISTI # C1S803602004241    		Vishay IntertechnologiesMOSFETs5955
    • 100:$0.2480
    • 50:$0.2949
    • 25:$0.3277
    • 10:$0.3335
    SI8808DB-T2-E1Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
    RoHS: Compliant    		Americas -
      Imagen Parte # Descripción
      SI8808DB-T2-E1

      Mfr.#: SI8808DB-T2-E1

      OMO.#: OMO-SI8808DB-T2-E1

      		 MOSFET 30V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
      SI8808DB-T2-E1

      Mfr.#: SI8808DB-T2-E1

      OMO.#: OMO-SI8808DB-T2-E1-VISHAY

      		 MOSFET N-CH 30V MICROFOOT
      SI8808DBT2E1

      Mfr.#: SI8808DBT2E1

      OMO.#: OMO-SI8808DBT2E1-1190

      		 Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      3000
      Ingrese la cantidad:
      El precio actual de SI8808DB-T2-E1 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
      Precio de referencia (USD)
      Cantidad
      Precio unitario
      Ext. Precio
      1
      0,24 US$
      0,24 US$
      10
      0,23 US$
      2,31 US$
      100
      0,22 US$
      21,87 US$
      500
      0,21 US$
      103,30 US$
      1000
      0,19 US$
      194,40 US$
      Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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