TSM126CX RFG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor de Taiwán

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

30 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

400 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.7 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

1.18 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

500 mW (1/2 W)

Configuración:

Único

Modo de canal:

Agotamiento

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconductor de Taiwán

Transconductancia directa - Mín .:

0.017 S

Otoño:

135.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

55.7 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

57.2 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10.01 ns

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

TSM126, TSM12, TSM1, TSM