2DB1184Q-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DPAK-3

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

50 V

Colector- Voltaje base VCBO:

60 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Corriente máxima del colector de CC:

3 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

110 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

2DB11

Ganancia de corriente CC hFE Max:

120

Altura:

2.4 mm

Longitud:

6.8 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

6.2 mm

Marca:

Diodos incorporados

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

120

Pd - Disipación de energía:

15000 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Calificación:

AEC-Q101

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.009185 oz

Tags

2DB1184Q-1, 2DB1184, 2DB118, 2DB11, 2DB1, 2DB