IXFH20N100P

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1 kV

Id - Corriente de drenaje continua:

20 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

570 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

6.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

126 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

660 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

HiPerFET

Embalaje:

Tubo

Altura:

21.46 mm

Longitud:

16.26 mm

Serie:

IXFH20N100

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

Polar Power MOSFET HiPerFET

Ancho:

5.3 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

8 S

Otoño:

45 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

37 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

56 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

40 ns

Unidad de peso:

0.229281 oz

Tags

IXFH20N, IXFH20, IXFH2, IXFH, IXF