QS8J4TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSMT-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

40 mOhms, 40 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

13 nC, 13 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.5 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

QS8J4

Tipo de transistor:

2 P-Channel

Marca:

Semiconductor ROHM

Otoño:

50 ns, 50 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

20 ns, 20 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

80 ns, 80 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8 ns, 8 ns

Parte # Alias:

QS8J4

Tags

QS8J4, QS8J, QS8