DMP2021UFDF-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

U-DFN2020-F-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

22 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

350 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

59 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.02 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.6 mm

Longitud:

2 mm

Producto:

Modo de mejora MOSFET

Serie:

DMP2021

Escribe:

Modo de mejora MOSFET

Ancho:

2 mm

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

-

Otoño:

96 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

25 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

125 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7.5 ns

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