TK31V60W5,LVQ

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DFN8x8-5

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

30.8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

87 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

105 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

240 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

DTMOSIV

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.85 mm

Longitud:

8 mm

Serie:

TK31

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

8 mm

Marca:

Toshiba

Otoño:

8.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

80 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

165 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

120 ns

Tags

TK31V60W5, TK31V60W, TK31V, TK31, TK3