APT32F120J

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

Módulos de semiconductores discretos

RoHS:

Y

Producto:

Módulos MOSFET de potencia

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Estilo de montaje:

Montaje con tornillo

Paquete / Caja:

SOT-227-4

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Embalaje:

Tubo

Configuración:

Único

Altura:

9.6 mm

Longitud:

38.2 mm

Ancho:

25.4 mm

Marca:

Microchip / Microsemi

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Otoño:

90 ns

Id - Corriente de drenaje continua:

33 A

Pd - Disipación de energía:

960 W

Tipo de producto:

Módulos de semiconductores discretos

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

270 mOhms

Hora de levantarse:

60 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

Módulos de semiconductores discretos

Nombre comercial:

POWER MOS 8, ISOTOP

Tiempo de retardo de apagado típico:

315 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

100 ns

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1.2 kV

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Unidad de peso:

1.058219 oz

Tags

APT32F, APT32, APT3, APT