DMPH4015SSS-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

11.4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

9 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Qg - Carga de puerta:

91 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

1.8 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

26 S

Otoño:

138 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

303 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

13.2 ns

Unidad de peso:

0.002610 oz

Tags

DMPH4015, DMPH401, DMPH4, DMPH, DMP