IXTF1N450

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

ISOPLUS-i4-PAK-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

4.5 kV

Id - Corriente de drenaje continua:

900 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

80 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

46 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

160 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Serie:

IXTF1N450

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

0.4 S

Otoño:

120 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

43 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

25

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

73 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

30 ns

Unidad de peso:

0.229281 oz

Tags

IXTF1N, IXTF1, IXTF, IXT