SSM6K204FE,LF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

ES-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

126 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

350 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

3.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

500 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

SSM6K204FE

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Toshiba

Transconductancia directa - Mín .:

2.6 S

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tags

SSM6K20, SSM6K2, SSM6K, SSM6, SSM