CSD22205L

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PICOSTAR-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

8 V

Id - Corriente de drenaje continua:

7.4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

40 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.05 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

6 V

Qg - Carga de puerta:

8.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

800 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Carrete

Serie:

CSD22205L

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Instrumentos Texas

Transconductancia directa - Mín .:

10.4 S

Otoño:

32 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

14 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

70 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

30 ns

Unidad de peso:

0.000032 oz

Tags

CSD222, CSD22, CSD2, CSD