CMPDM302PH TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor central

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23F

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

50 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

7 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

350 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

CMPDM3

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Semiconductor central

Transconductancia directa - Mín .:

4.6 S

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

17 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12 ns

Parte # Alias:

CMPDM302PH PBFREE TR

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

CMPDM, CMPD, CMP