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TGF2952

TGF2952
Mfr. #:
TGF2952
Fabricante:
Qorvo
Descripción:
RF JFET Transistors DC-14GHz 5W 32V GaN P3dB @ 3GHz 38.6dBm
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
TGF2952 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
TGF2952 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Qorvo
Categoria de producto:
Transistores RF JFET
RoHS:
Y
Tipo de transistor:
HEMT
Tecnología:
GaN SiC
Ganar:
20.4 dB
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
32 V
Id - Corriente de drenaje continua:
480 mA
Potencia de salida:
38.4 dBm
Voltaje máximo de la puerta de drenaje:
100 V
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 65 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Pd - Disipación de energía:
10.5 W
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
Die
Embalaje:
Paquete de gel
Configuración:
Único
Frecuencia de operación:
15 GHz
Rango de temperatura de funcionamiento:
- 65 C to + 150 C
Marca:
Qorvo
Tipo de producto:
Transistores RF JFET
Cantidad de paquete de fábrica:
50
Subcategoría:
Transistores
Parte # Alias:
1111797
Tags
TGF295, TGF29, TGF2, TGF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC to 14 GHz, 7 W, 20.4 dB, 32 V, GaN, DIE
TGF GaN on SiC Transistors
Qorvo TGF GaN on SiC Transistors for the Satellite, P to P, and Military communications along with Marine radar and Test and instrumentation. These are small footprint (dies) that handle high power (7W to 70W) and high frequency, up to 14GHz.
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
TGF2952
DISTI # 772-TGF2952		QorvoRF JFET Transistors DC-14GHz 5W 32V GaN P3dB @ 3GHz 38.6dBm
RoHS: Compliant		0
  • 50:$30.2800
  • 100:$26.1900
  • 250:$24.6200
1111797
DISTI # TGF2952		QorvoRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant		0
  • 1:$17.1900
Imagen Parte # Descripción
TGF2018

Mfr.#: TGF2018

OMO.#: OMO-TGF2018

 RF JFET Transistors DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm
TGF150D

Mfr.#: TGF150D

OMO.#: OMO-TGF150D

 Thermal Interface Products 1.5W/M-K 200*300*1 TGF150D Light Grey
TGF50-07870787-020

Mfr.#: TGF50-07870787-020

OMO.#: OMO-TGF50-07870787-020

 Thermal Interface Products 5W/m-K 200*200*0.5 TGF50 White
TGF2979-SM

Mfr.#: TGF2979-SM

OMO.#: OMO-TGF2979-SM-318

 RF JFET Transistors 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
TGF3020-SM

Mfr.#: TGF3020-SM

OMO.#: OMO-TGF3020-SM-319

 RF MOSFET Transistors 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
TGF2929-FL

Mfr.#: TGF2929-FL

OMO.#: OMO-TGF2929-FL-319

 RF MOSFET Transistors DC-3.5GHz 100W 28V GaN
TGF2929-FS

Mfr.#: TGF2929-FS

OMO.#: OMO-TGF2929-FS-319

 RF MOSFET Transistors DC-3.5GHz 100W 28V GaN
TGF2960-SD.

Mfr.#: TGF2960-SD.

OMO.#: OMO-TGF2960-SD--1190

 Nuevo y original
TGF2961-SD T/R

Mfr.#: TGF2961-SD T/R

OMO.#: OMO-TGF2961-SD-T-R-1190

 Nuevo y original
TGF4250-SCC

Mfr.#: TGF4250-SCC

OMO.#: OMO-TGF4250-SCC-1152

 RF JFET Transistors DC-10.5GHz 2.5 Watt HFET
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
2500
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El precio actual de TGF2952 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
50
30,28 US$
1 514,00 US$
100
26,19 US$
2 619,00 US$
250
24,62 US$
6 155,00 US$
500
23,14 US$
11 570,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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