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QPD1004SR

QPD1004SR
Mfr. #:
QPD1004SR
Fabricante:
Qorvo
Descripción:
RF JFET Transistors .03-1.2GHz 25W 50V GaN
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
QPD1004SR Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
QPD1004SR más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Qorvo
Categoria de producto:
Transistores RF JFET
RoHS:
Y
Tipo de transistor:
HEMT
Tecnología:
GaN SiC
Ganar:
20.8 dB
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
50 V
Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:
145 V
Id - Corriente de drenaje continua:
3.6 A
Potencia de salida:
40 W
Voltaje máximo de la puerta de drenaje:
55 V
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 40 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 85 C
Pd - Disipación de energía:
27.6 W
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
DFN-8
Embalaje:
Carrete
Frecuencia de operación:
30 MHz to 1200 MHz
Serie:
QPD1004
Marca:
Qorvo
Transconductancia directa - Mín .:
-
Kit de desarrollo:
QPD1004EVB1
Sensible a la humedad:
Yes
Tipo de producto:
Transistores RF JFET
Cantidad de paquete de fábrica:
100
Subcategoría:
Transistores
Parte # Alias:
QPD1004
Tags
QPD100, QPD10, QPD1, QPD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***et
GaN RF Input-Matched Transistor 25W 50V 30MHz to 1200MHz 8-Pin DFN Reel
***el Electronic
RF JFET Transistors .03-1.2GHz 25W 50V GaN
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
QPD1004SR
DISTI # 772-QPD1004SR		QorvoRF JFET Transistors .03-1.2GHz 25W 50V GaN
RoHS: Compliant		21
  • 1:$80.1000
  • 25:$70.7800
  • 100:$62.5400
Imagen Parte # Descripción
F2915NBGK

Mfr.#: F2915NBGK

OMO.#: OMO-F2915NBGK

 RF Switch ICs HReliability SP4T Absorptive RF Switch
ICE5LP4K-CM36ITR50

Mfr.#: ICE5LP4K-CM36ITR50

OMO.#: OMO-ICE5LP4K-CM36ITR50

 FPGA - Field Programmable Gate Array iCE40 Ultra FPGA 3520 Logic Cells
STPS6M100SF

Mfr.#: STPS6M100SF

OMO.#: OMO-STPS6M100SF

 Schottky Diodes & Rectifiers DFD RECTIFIER
RC0603FR-071KL

Mfr.#: RC0603FR-071KL

OMO.#: OMO-RC0603FR-071KL

 Thick Film Resistors - SMD 1K OHM 1%
C1005X7R1H103K050BE

Mfr.#: C1005X7R1H103K050BE

OMO.#: OMO-C1005X7R1H103K050BE

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT SOFT 0402 50V 0.01uF X7R 10% T: 0.5mm
STEVAL-IPM10B

Mfr.#: STEVAL-IPM10B

OMO.#: OMO-STEVAL-IPM10B

 Power Management IC Development Tools 1200 W motor control power board based on STGIB10CH60TS-L SLLIMM 2nd series IPM
STEVAL-IPM10B

Mfr.#: STEVAL-IPM10B

OMO.#: OMO-STEVAL-IPM10B-STMICROELECTRONICS

 MOTOR CONTROL POWER BOARD
STPS6M100SF

Mfr.#: STPS6M100SF

OMO.#: OMO-STPS6M100SF-STMICROELECTRONICS

 100V POWER SCHOTTKY RECTIFIER
C1005X7R1H103K050BE

Mfr.#: C1005X7R1H103K050BE

OMO.#: OMO-C1005X7R1H103K050BE-TDK

 Cap Ceramic 0.01uF 50V X7R 10% Pad SMD 0402 FlexiTerm 125°C T/R
MEZD41503A-B

Mfr.#: MEZD41503A-B

OMO.#: OMO-MEZD41503A-B-MONOLITHIC-POWER-SYSTEMS

 DC DC CONVERTER 12V
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
1000
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Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
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1
80,10 US$
80,10 US$
25
70,78 US$
1 769,50 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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