IRF7338PBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

12 V

Id - Corriente de drenaje continua:

6.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

34 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

5.7 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

1.75 mm

Longitud:

4.9 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Escribe:

MOSFET de potencia

Ancho:

3.9 mm

Marca:

Infineon / IR

Otoño:

34 ns, 25 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

7.6 ns, 13 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4085

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

26 ns, 27 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6 ns, 9.6 ns

Parte # Alias:

SP001565278

Unidad de peso:

0.019048 oz

Tags

IRF7338, IRF733, IRF73, IRF7, IRF