SIHFL9110TR-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-223-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.1 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.2 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

8.7 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

3.1 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Serie:

SIH

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

0.82 S

Otoño:

17 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

27 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

15 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns

Unidad de peso:

0.009171 oz

Tags

SIHFL91, SIHFL9, SIHFL, SIHF, SIH