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SIZ914DT-T1-GE3

SIZ914DT-T1-GE3
Mfr. #:
SIZ914DT-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
IGBT Transistors MOSFET 30V 16/40A 23/100W TrenchFET
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SIZ914DT-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay Siliconix
categoria de producto
FET: matrices
Serie
TrincheraFETR
embalaje
Embalaje alternativo de Digi-ReelR
Estilo de montaje
SMD / SMT
Nombre comercial
TrenchFET
Paquete-Estuche
8-WDFN Exposed Pad
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
2 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
8-PowerPairR
Configuración
Doble
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Potencia máxima
22.7W, 100W
Tipo transistor
2 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
30V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
1208pF @ 15V
Función FET
Puerta de nivel lógico
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
16A, 40A
Rds-On-Max-Id-Vgs
6.4 mOhm @ 19A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.4V @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
26nC @ 10V
Disipación de potencia Pd
22.7 W 100 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
5 ns 19 ns
Hora de levantarse
11 ns 127 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
- 16 V + 20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
16 A 40 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V 30 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
1.2 V 1 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
6.4 mOhms 1.37 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
15 ns 40 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
16 ns 40 ns
Qg-Gate-Charge
17 nC 66 nC
Transconductancia directa-Mín.
55 S 68 S
Modo de canal
Mejora
Tags
SIZ91, SIZ9, SiZ
Service Guarantees

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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A/40A 8-Pin PowerPAIR EP
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8-Pin PowerPAIR T/R
***i-Key
MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
***ark
DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFETS
***
DUAL N-CHANNEL 30V
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SIZ914DT-T1-GE3
DISTI # SIZ914DT-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		3000In Stock
  • 3000:$0.8219
SIZ914DT-T1-GE3
DISTI # SIZ914DT-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		3000In Stock
  • 1000:$0.9093
  • 500:$1.0975
  • 100:$1.4110
  • 10:$1.7560
  • 1:$1.9400
SIZ914DT-T1-GE3
DISTI # SIZ914DT-T1-GE3DKR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		3000In Stock
  • 1000:$0.9093
  • 500:$1.0975
  • 100:$1.4110
  • 10:$1.7560
  • 1:$1.9400
SIZ914DT-T1-GE3
DISTI # 781-SIZ914DT-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
RoHS: Compliant		0
    SIZ914DT-T1-GE3Vishay Intertechnologies 2811
      Imagen Parte # Descripción
      SIZ914DT-T1-GE3

      Mfr.#: SIZ914DT-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIZ914DT-T1-GE3

      		 MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIZ980DT-T1-GE3
      SIZ914DT-T1-GE3

      Mfr.#: SIZ914DT-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIZ914DT-T1-GE3-VISHAY

      		 IGBT Transistors MOSFET 30V 16/40A 23/100W TrenchFET
      SIZ914DT-GE3

      Mfr.#: SIZ914DT-GE3

      OMO.#: OMO-SIZ914DT-GE3-1190

      		 Nuevo y original
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      1000
      Ingrese la cantidad:
      El precio actual de SIZ914DT-T1-GE3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
      Precio de referencia (USD)
      Cantidad
      Precio unitario
      Ext. Precio
      1
      1,23 US$
      1,23 US$
      10
      1,17 US$
      11,71 US$
      100
      1,11 US$
      110,96 US$
      500
      1,05 US$
      524,00 US$
      1000
      0,99 US$
      986,30 US$
      Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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